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MBRF20200CT PDF预览

MBRF20200CT

更新时间： 2024-11-18 20:27:51
品牌 Logo 应用领域
EIC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

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MBRF20200CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.27Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：1000 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRF20200CT 数据手册

 浏览型号MBRF20200CT的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
DUAL SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIER  
MBRF20200CT  
PRV : 200 Volts  
Io : 20 Amperes  
ITO-220AB  
0.134(3.4)DIA.  
0.113(3.0)DIA.  
0.185(4.70)Max.  
0.406(10.3)MAX.  
0.124(3.16)Max.  
FEATURES :  
0.112(2.85)  
0.100(2.55)  
0.272(6.9)  
0.248(6.3)  
* Highly Stable Oxide Passivated Junction  
* Very Low Forward Voltage Drop  
* Guard-ring for Stress Protection  
* Matched Dual Die Construction  
* High Junction Temperature Capability  
* Pb / RoHS Free  
0.603(15.5)  
0.573(14.8)  
1
2 3  
0.110(2.8)  
0.098(2.5)  
0.161(4.1)Max.  
0.055(1.4)Max.  
0.543(13.8)  
0.512(13.2)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Epoxy, Molded  
* Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
* Polarity: As marked  
0.035(0.9)Max.  
PIN 3  
0.030(0.76)Max.  
0.100(2.55)  
PIN 1  
PIN 2  
* Mounting Position: Any  
* Weight : 2.24 grams (Approximately)  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25 °C unless otherwise noted)  
VALUE  
RATINGS  
SYMBOL  
UNIT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
200  
200  
200  
10  
V
V
V
Maximum Average Forward Current  
(Rated VR), TC = 125 °C  
Per Leg  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
A
A
A
20  
Per Package  
Peak Repetitive Forward Current per Leg  
( Rated VR, Square Wave, 20 kHz, Tc = 90 °C)  
20  
Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at  
Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage per leg (Note 1)  
at IF = 10 A, TC = 25 °C  
150  
0.9  
VF  
V
at IF = 10 A, TC = 125 °C  
0.8  
at IF = 20 A, TC = 25 °C  
1.0  
at IF = 20 A, TC = 125 °C  
0.9  
TC = 25 °C  
IR  
IR(H)  
Maximum Reverse Current at Rated DC  
Blocking Voltage per leg (Note 1)  
1.0  
50  
mA  
TC = 125 °C  
500  
Capacitance ( VR = -5.0 V, TC = 25 °C, f =1.0 MHz)  
Thermal Resistance, Junction to Case (Per leg)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
CT  
pF  
°C/W  
°C  
3.5  
RӨJC  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
Note : (1) Pulse test : 300 µs pluse width, Duty Cycle≤ 2%  
Page 1 of 2  
Rev. 01 : September 11, 2006  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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