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MBR6045R

更新时间： 2024-11-22 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 807K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBR6045R 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-MUPM-D1Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.54Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：DO-5JESD-30 代码：O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：700 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：5000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

MBR6045R 数据手册

 浏览型号MBR6045R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR6045R的Datasheet PDF文件第3页 
MBR6045 thru MBR60100R  
VRRM = 45 V - 100 V  
IF = 60 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 45 V to 100 V VRRM  
DO-5 Package  
• Not ESD Sensitive  
C
A
C
Note:  
1. Standard polarity: Stud is cathode.  
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.  
3. Stud is base.  
A
Stud Stud  
(R)  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBR6080 (R) MBR60100 (R)  
Parameter  
Symbol  
MBR6045 (R) MBR6060 (R)  
Unit  
VRRM  
VRMS  
VDC  
IF  
80  
50  
80  
60  
100  
70  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
45  
32  
45  
60  
60  
42  
60  
60  
V
V
V
A
100  
60  
DC blocking voltage  
TC ≤ 100 °C  
Continuous forward current  
Surge non-repetitive forward  
current, Half Sine Wave  
IF,SM  
TC = 25 °C, tp = 8.3 ms  
700  
700  
700  
700  
A
Tj  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MBR6080 (R) MBR60100 (R)  
Parameter  
Symbol  
MBR6045 (R) MBR6060(R)  
Unit  
V
VF  
IR  
IF = 60 A, Tj = 25 °C  
VR = 20 V, Tj = 25 °C  
VR = 20 V, Tj = 125 °C  
0.84  
5
0.84  
5
Diode forward voltage  
Reverse current  
0.65  
5
0.75  
5
mA  
150  
150  
150  
150  
Thermal characteristics  
Thermal resistance, junction -  
case  
RthJC  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
°C/W  
1
Oct. 2018  
http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/mbr6045.pdf  
123

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