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MBR6040PT-G PDF预览

MBR6040PT-G

更新时间： 2024-09-22 01:10:07
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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MBR6040PT-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-3P, 3PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：500 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：20000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR6040PT-G 数据手册

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Schottky Barrier Rectifier  
MBR6030PT-G Thru. MBR60100PT-G  
Reverse Voltage: 30 to 100V  
Forward Current: 60.0A  
RoHS Device  
Features  
-Low power loss, high efficiency.  
TO-3P  
0.646(16.40)  
0.610(15.50)  
0.203(5.16)  
0.193(4.90)  
0.142(3.60)  
0.126(3.20)  
0.244(6.20)  
0.224(5.70)  
-Low reverse leakage current.  
-Guard ring for overvoltage protection.  
-High Surge Current Capability.  
0.858(21.80)  
0.803(20.40)  
Mechanical Data  
-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant.  
-Case: TO-3P Molded plastic.  
0.095(2.40)  
0.083(2.10)  
0.127(3.22)  
0.117(2.97)  
0.181(4.60)  
0.138(3.50)  
-Terminals: Pure tin plated, lead free solderable  
per MIL-STD-750,Method 2026  
0.086(2.18)  
0.076(1.93)  
0.807(20.50)  
0.776(19.70)  
-Polarity: As marked.  
0.030(0.76)  
0.020(0.51)  
-Mounting position: Any  
0.224(5.70)  
0.205(5.20)  
0.048(1.22)  
0.044(1.12)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR60  
30PT-G  
MBR60  
40PT-G  
MBR60  
45PT-G  
MBR60  
50PT-G  
MBR60  
60PT-G  
MBR60  
80PT-G  
MBR60  
100PT-G  
Symbol  
Unit  
Parameter  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RRM  
RMS  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
Maximum Average Forward  
Rectified Current (See Fig.1)  
I
(AV)  
60  
A
A
Peak Forward Surage Current , 8.3ms Single  
Half Sine-Wave Super Imposed On Rated  
Load (JEDEC Method)  
IFSM  
500  
Maximum Forward Voltage at 30.0A per leg  
VF  
0.65  
0.75  
0.85  
V
Maximum DC Reverse  
Current At Rated DC  
Blocking Voltage  
@TA=25°C  
I
R
20  
mA  
@TA=100°C  
IR  
200  
Typical Thermal Resistance  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
RθJC  
1.4  
°C/W  
°C  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
°C  
Notes: 1. Mounted on 14mm x 14mm pad ateas, 1oz. FR4 P.C.B.  
2. Free air, mounted on recommended copper pad area.  
3. Pulse Test: 300us pulse width, 1% duty cycle.  
4. Pulse Test: Pulse width ≤ 40ms.  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV: B  
Page 1  
QW-BB054  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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