5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-204AA | 包装说明： | O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 30 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBR30200 | ASEMI |
获取价格 |
MBR30200Dual High-Voltage Schottky Rectifiers |
|
| MBR302000FCT | ASEMI |
获取价格 |
28纳米半导体封装工艺ASEMI-MBR30200CT-MBR302000FCT上传者：d |
|
| MBR30200BCT | LGE |
获取价格 |
30A Surface Mount High Power Schottky Barrier Rectifiers |
|
| MBR30200C | UTC |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
| MBR30200C | RECTRON |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
| MBR30200CD | ANBON |
获取价格 |
TO-252AB |
|
| MBR30200CD-Q1 | ANBON |
获取价格 |
TO-252AB |
|
| MBR30200CG | ANBON |
获取价格 |
TO-263AB |
|
| MBR30200CGD | LGE |
获取价格 |
30 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
|
| MBR30200CG-Q1 | ANBON |
获取价格 |
TO-263AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
