5秒后页面跳转
MBR30200CT PDF预览

MBR30200CT

更新时间: 2024-01-28 06:24:59
品牌 Logo 应用领域
ASEMI 半导体二极管IOT
页数 文件大小 规格书
5页 287K
描述
28纳米半导体封装工艺ASEMI-MBR30200CT-MBR302000FCT上传者:dd

MBR30200CT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.62其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.05 V
JEDEC-95代码:TO-247ADJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:1000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MBR30200CT 数据手册

 浏览型号MBR30200CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR30200CT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBR30200CT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBR30200CT的Datasheet PDF文件第5页 
编辑:DD  
28米之后半导体封装工ASEMI-MBR30200CT-MBR302000FCT 大电流产品幕后生产  
大揭秘!  
摘要 : 萨德阴影下,半导体行业市场迷雾重重。中国半导体在政府支持下,发展整体向好,  
技术突破 28 纳米之后半导体封装工艺还能走多远?【ASEMI】  
MBR30200FCT-MBR30200CT 幕后生产大揭秘!  
韩国决定部署萨德导弹后国从政府到民间日来持续发出  
激烈反对的声音。据韩国报道,目前,韩国的半导体、手机、汽  
车等行业认为是较易受到中国打击的韩国经济产业为全  
球制造大国,中国占有全球 50%-60%的手机和笔记本制造市场,  
是三星电子、LG 电子、SK 海力士等的最大客户。萨德阴影下,  
全球半导体行业市场迷雾重重国半导体在政府支持下展  
整体向好,技术突破 28 纳米之后半导体封装工艺还能走多远?  
ASEMI 微课堂MBR30200FCT-MBR30200CT 幕后生产大揭秘!  

与MBR30200CT相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MBR30200C-T SHIKUES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

获取价格

MBR30200CT-30A-TO-220AB DGNJDZ Schottky Barrier Rectifier

获取价格

MBR30200CT-BP MCC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS C

获取价格

MBR30200CT-BP-HF MCC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE

获取价格

MBR30200CTF SHIKUES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

获取价格

MBR30200C-TF SHIKUES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

获取价格