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MBR30200CT

更新时间： 2024-11-19 11:11:51
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强茂 - PANJIT 二极管IOT
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2页 63K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR30200CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.44Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR30200CT 数据手册

 浏览型号MBR30200CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR3040CT SERIES  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
40 to 200 Volts  
30 Amperes  
CURRENT  
VOLTAGE  
FEATURES  
0.419(10.66)  
0.387(9.85)  
0.196(5.00)  
0.163(4.16)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
0.139(3.55)  
MIN.  
0.054(1.39)  
0.045(1.15)  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency.  
• High current capability  
• Guardring for overvoltage protection  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
0.115(2.92)  
0.080(2.03)  
0.058(1.47)  
0.042(1.07)  
0.038(0.96)  
0.019(0.50)  
0.025(0.65)MAX.  
MECHANICAL DATA  
• Case: TO-220AB molded plastic  
0.100(2.54)  
0.100(2.54)  
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR3040CT MBR3045CT MBR3050CT MBR3060CT MBR3080CT MBR3090CT MBR30100CT MBR30150CT MBR30200CT  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
V
V
A
Maxi mum DC Blocki ng Voltage  
Maxi mum Average Forward Current  
VDC  
100  
IF(AV)  
30  
Peak Forward Surge Current  
：8.3 ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
VF  
IR  
275  
A
V
Maximum Forward Voltage at 15A per leg  
0.7  
0.75  
0.8  
0.9  
Maxi mum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
TJ=25 OC  
TJ=125O  
0.1  
20  
mA  
C
Typical Thermal Resistance  
RJC  
1.4  
OC / W  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
OC  
-55 to  
+ 150  
TJ,TSTG  
-65 to + 175  
Note :  
Both Bonding and Chip structure are available.  
August 30,2010-REV.03  
PAGE . 1  
12

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