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MBR30200CT

更新时间： 2024-11-20 14:58:27

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TO-220AB

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MBR30200CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.32
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向电流：	100 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR30200CT 数据手册

MBR3035CT~MBR30200CT

肖特基二极管SCHOTTKY Diodes

■特征 Features

● 耐正向浪涌电流能力高

■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark

T O- 220AB

High surge forward current capability

_●低功耗，大电流

Low Power loss, High efficiency

.200(5.10)

.159(4.04)

.17(4.31)

.131(3.34)

.429(10.9)

MAX

.055(1.40)

.045(1.14)

DIA

.129(3.27)

.087(2.22)

●

I_o

30.0A

.61(15.5)

.571(14.5)

_●V_RRM

35-200V

PIN1

.126(3.19)

.084(2.14)

.176(4.46)

.124(3.16)

.576(14.62)

.514(13.06)

.037(0.94)

.027(0.68)

■用途 Applications

●快速整流用

.025(0.64)

.011(0.28)

.121(3.07)

.079(2.01)

.121(3.07)

.079(2.01)

High speed switching

PIN1

PIN2

CASE

PIN3

Dimensions in inches and (millimeters)

■极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values（Absolute Maximum Rating）

测试条件

MBR30-CT

参数名称

符号单位

Test Conditions

Item

Symbol Unit

90 100 150 200

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

I_o

90 100 150 200

60H_Z正弦波，电阻负载，T_a=25℃

60H_Zsine wave, R- load, T_a=25℃

平均整流输出电流

Average Rectified Output Current

60H_Z正弦波，一个周期，T_a=25℃

60H_Zsine wave, 1 cycle, T_a=25℃

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-repetitive)Forward Current

I_FSM

200

正向浪涌电流的平方对电流浪涌持

续

1ms≤t＜8.3ms T =25℃,单个二

I²t

A²s

极管

167

时间的积分值

Current Squared Time

1ms≤t＜8.3ms T =25℃,Rating

of per diode

贮存温度

Storage Temperature

℃

T_stg

T_j

-55 ~ +150

在正向直流条件下，没有施加反向压

降，通电≤1h（图示1）①

IN DC Forward Mode-Forward

Operations，without reverse bias, t

≤1 h (Fig. 1)①

结温

-55 ~ +150

Junction Temperature

■电特性（T_a=25℃ 除非另有规定）

Electrical Characteristics（T_a=25℃ Unless otherwise specified）

MBR30-CT

参数名称

Item

符号

单位

测试条件

Symbol Unit Test Condition

100 150 200

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

V_FM

I FM =15A

T =25℃

0.7

0.8

0.85

0.90 0.95

I_RRM1

I_RRM2

0.2

反向峰值电流

Peak Reverse Current

V_RM=V_RRM

T =100℃

热阻

结和壳之间

Between junction and case

℃/W

2.0

θJ-C

Thermal Resistance

备注：Notes:

¹⁾热电阻从结到本体,每管脚到散热片的尺寸为

2"×3"×0.25 的铝板

Thermal resistance from junction to case per leg with heat-sink size of 2"×3"×0.25" AL-plate

扬州扬杰电子科技股份有限公司

www.21yangjie.com

S-B181

Rev. 1.0, 12-Mar-15

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

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与MBR30200CT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR30200C-T	SHIKUES	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR30200CT-30A-TO-220AB	DGNJDZ	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
MBR30200CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS C
MBR30200CT-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE
MBR30200CTF	SHIKUES	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR30200C-TF	SHIKUES	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR30200CTH	MCC	获取价格
MBR30200CTH-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MBR30200CTH-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MBR30200CT-J	LGE	获取价格	30A High Power Schottky Barrier Rectifiers

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