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MBR1035CT

更新时间： 2024-02-13 04:53:49

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SIRECTIFIER		二极管瞄准线功效局域网
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ +175°C, Tjm = +175°C。

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MBR1035CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.84 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	2 W	最大重复峰值反向电压：	35 V
最大反向电流：	100 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MBR1035CT 数据手册

MBR1030CT thru MBR1045CT

Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers

Dimensions TO-220AB

Dim.

Inches

Min. Max.

Milimeter

Min. Max.

0.500 0.550

0.580 0.630

0.390 0.420

0.139 0.161

0.230 0.270

0.100 0.125

0.045 0.065

0.110 0.230

0.025 0.040

12.70 13.97

14.73 16.00

9.91 10.66

C(TAB)

3.54

5.85

2.54

1.15

2.79

0.64

2.54

4.32

1.14

0.35

2.29

4.08

6.85

3.18

1.65

5.84

1.01

BSC

4.82

1.39

0.56

2.79

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

VRRM

VRMS

VDC

MBR1030CT

MBR1035CT

MBR1040CT

MBR1045CT

0.100

BSC

0.170 0.190

0.045 0.055

0.014 0.022

0.090 0.110

24.5

31.5

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I(AV)

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=105^oC

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

IFSM

125

dv/dt

Voltage Rate Of Change (Rated VR)

10000

V/us

IF=5A @TJ=25^oC

Maximum Forward

0.57

0.70

0.84

IF=5A @TJ=125^oC

Voltage (Note 1)

IF=10A @TJ=125^oC

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@TJ=25^oC

0.1

@TJ=125^oC

3.0

^oC/W

^oC

ROJC

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3)

Operating Temperature Range

170

-55 to +150

-55 to +175

TSTG

Storage Temperature Range

^oC

NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.

2. Thermal Resistance Junction To Case.

3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low VF

* Case: TO-220AB molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams

* Mounting position: Any

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR1035CT_10	TSC	获取价格	10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR1035CT_11	TSC	获取价格	10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR1035CT_14	TSC	获取价格	Dual Common Cathode Schottky Rectifier
MBR1035CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COM
MBR1035-F	HDSEMI	获取价格	TO-220 Plastic-Encapsulate Diodes
MBR1035FCT	LGE	获取价格	肖特基二极管
MBR1035-F-CT	HDSEMI	获取价格	TO-220 Plastic-Encapsulate Diodes
MBR1035G	ONSEMI	获取价格	SWITCHMODE Power Rectifiers
MBR1035-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, Silicon, TO-220AC, LEAD FREE, PLASTIC
MBR1035HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220AC

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