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MBR1040

更新时间： 2024-01-24 10:56:06

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SIRECTIFIER		二极管瞄准线功效局域网
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR1040 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR1040 数据手册

MBR1030 thru MBR1045

Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers

Dimensions TO-220AC

Dim.

Inches

Min. Max.

Milimeter

Min. Max.

0.500 0.580

0.560 0.650

0.380 0.420

0.139 0.161

2.300 0.420

0.100 0.135

0.045 0.070

12.70 14.73

14.23 16.51

9.66 10.66

C(TAB)

3.54

5.85

2.54

1.15

4.08

6.85

3.42

1.77

6.35

0.89

5.33

4.82

0.56

2.49

1.39

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

VRRM

VRMS

VDC

0.250

0.025 0.035

0.190 0.210

0.140 0.190

0.015 0.022

0.080 0.115

0.025 0.055

0.64

4.83

3.56

0.38

2.04

0.64

MBR1030

MBR1035

MBR1040

MBR1045

24.5

31.5

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I(AV)

IFSM

dv/dt

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125^oC

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

150

Voltage Rate Of Change (Rated VR)

10000

V/us

IF=20A @TJ=25^oC

Maximum Forward

0.84

0.57

IF=20A @TJ=125^oC

Voltage

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@TJ=25^oC

0.1

@TJ=125^oC

2.5

^oC/W

^oC

ROJC

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

400

-55 to +150

-55 to +175

TSTG

^oC

NOTES: 1. Thermal Resistance Junction To Case.

2. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low VF

* Case: TO-220AC molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams

* Mounting position: Any

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MBR1040BFR	JSMC	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
MBR1040-BP-HF	MCC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC,	获取价格