MBR1040CT

更新时间： 2024-02-15 15:57:30

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10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR1040CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR1040CT 数据手册

MBR1030CT - MBR1060CT

10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

TO-220AB

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Capability

High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Dim

Min

14.22

9.65

2.54

5.84

Max

15.88

10.67

3.43

6.86

6.35

12.70

2.29

0.51

14.73

2.79

1.14

Mechanical Data

3.53Æ 4.09Æ

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight: 2.24 grams (approx.)

Mounting Position: Any

3.56

1.14

0.30

2.03

4.83

1.40

0.64

2.92

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Case

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MBR

Characteristic

Symbol

Unit

1030CT 1035CT 1040CT 1045CT 1050CT 1060CT

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

I_O

RMS Reverse Voltage

24.5

31.5

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@ T_C= 105°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

I_FSM

I_RRM

V_FM

8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

125

1.0

Repetitive Peak Reverse Surge Current

@ t £ 2.0ms

Forward Voltage Drop

@ I_F= 5.0A, T_C= 125°C

@ I_F= 5.0A, T_C

@ I_F= 10A, T_C

0.57

0.70

0.84

0.70

0.80

0.95

25°C

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_C

25°C

0.1

I_RM

@ T_C= 125°C

C_j

Typical Junction Capacitance (Note 2)

150

K/W

V/ms

°C

R_qJC

Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)

Voltage Rate of Change (Rated V_R)

dV/dt

T_j,T_STG

1000

Operating and Storage Temperature Range

-65 to +150

Notes:

1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

DS30027 Rev. A-2

1 of 2

MBR1030CT-MBR1060CT

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