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MBM29LV002T-10PFTR

更新时间: 2024-11-08 15:44:55
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
45页 1864K
描述
Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40

MBM29LV002T-10PFTR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSSOP, TSSOP40,.8,20
针数:40Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:100 ns启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8部门数/规模:1,2,1,3
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

MBM29LV002T-10PFTR 数据手册

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