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MBM29LV004B-12PTR

更新时间: 2024-09-21 14:53:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
47页 3592K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40

MBM29LV004B-12PTR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:120 ns其他特性:MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
启动块:BOTTOMJESD-30 代码:R-PDSO-G40
长度:18.4 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

MBM29LV004B-12PTR 数据手册

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