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MBM29LV002TC-90PNS-E1

更新时间： 2024-09-21 14:43:27

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
52页	437K
描述
Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40

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MBM29LV002TC-90PNS-E1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SON
包装说明：	PLASTIC, SON-40	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.67
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-N40
长度：	10.75 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSSON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV002TC-90PNS-E1 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20863-3E

FLASH MEMORY

CMOS

2M (256K × 8) BIT

MBM29LV002TC^-^70/-90/-12/MBM29LV002BC^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

40-pin TSOP(I) (Package suffix: PTN – Normal Bend Type, PTR – Reversed Bend Type)

40-pin SON (Package suffix: PNS)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read data in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector Protection Set function by Extended sector protection command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV002TC-90PTN	FUJITSU	获取价格	2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002TC-90PTN	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV002TC-90PTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV002TC-90PTR	FUJITSU	获取价格	2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002TC-90PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV004B-10PN	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 100ns, PDSO46, 10 X 12 MM, 0.75 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, SON-46
MBM29LV004B-10PNS	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 100ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40
MBM29LV004B-12PNS	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40
MBM29LV004B-12PTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV004B-12PTR-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40

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