是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | PLASTIC, TSOP1-40 |
针数: | 40 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 90 ns |
启动块: | TOP | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,3 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29LV002TC-90PTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40 | |
MBM29LV002TC-90PTR | FUJITSU |
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2M (256K x 8) BIT | |
MBM29LV002TC-90PTR-E1 | SPANSION |
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Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 | |
MBM29LV004B-10PN | FUJITSU |
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Flash, 512KX8, 100ns, PDSO46, 10 X 12 MM, 0.75 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, SON-46 | |
MBM29LV004B-10PNS | FUJITSU |
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Flash, 512KX8, 100ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40 | |
MBM29LV004B-12PNS | FUJITSU |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40 | |
MBM29LV004B-12PTR | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 | |
MBM29LV004B-12PTR-X | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 | |
MBM29LV004BC | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT | |
MBM29LV004BC-12 | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT |