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MB84VD22291EE-90-PBS

更新时间: 2024-01-27 14:10:43
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富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
63页 1270K
描述
32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM

MB84VD22291EE-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TFBGA,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:512K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码:R-PBGA-B71JESD-609代码:e0
长度:12 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:16
功能数量:1端子数量:71
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7 mmBase Number Matches:1

MB84VD22291EE-90-PBS 数据手册

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MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE-90  
BLOCK DIAGRAM  
VCCf  
VSS  
A0 to A20  
RY/BY  
A0 to A20  
A–1  
WP/ACC  
RESET  
CEf  
32 M bit  
Flash Memory  
DQ0 to DQ15/A1  
CIOf  
DQ0 to DQ15/A1  
VCCs  
VSS  
A0 to A18  
DQ0 to DQ15  
8 M bit  
SA  
LBs  
UBs  
WE  
Static RAM  
OE  
CE1s  
CE2s  
CIOs  
7

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