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MB84VD22291EE-90-PBS

更新时间： 2024-01-07 20:32:54

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
63页	1270K
描述
32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM

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MB84VD22291EE-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TFBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	512K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B71	JESD-609代码：	e0
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE^-90

■ PIN DESCRIPTION

Pin no.

Pin Name

A⁰

Function

Input/Output

A¹

A²

A³

A⁴

A⁵

A⁶

A⁷

A⁸

A⁹

Address Inputs (Common)

A¹⁰

A¹¹

A¹²

A¹³

A¹⁴

A¹⁵

A¹⁶

A¹⁷

A¹⁸

A^-1

A¹⁹

A²⁰

Address Input (Flash)

Address Input (SRAM)

(Continued)

1 2 345 6 7...63

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MB84VD22292EA	FUJITSU	32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM	获取价格
MB84VD22292EA-85PBS	FUJITSU	Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71	获取价格
MB84VD22292EA-90	FUJITSU	32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM	获取价格
MB84VD22292EA-90PBS	FUJITSU	Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71	获取价格
MB84VD22292EA-90-PBS	FUJITSU	32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM	获取价格
MB84VD22292EE	FUJITSU	32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM	获取价格