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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> MB84VD22294EE-90PBS
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MB84VD22294EE-90PBS

更新时间： 2024-09-24 13:11:11
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
63页 1270K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71

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MB84VD22294EE-90PBS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TFBGA, BGA71,8X12,32Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.09
最长访问时间：90 ns其他特性：512K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码：R-PBGA-B71JESD-609代码：e0
长度：12 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：71字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA71,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000006 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.053 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7 mmBase Number Matches：1

MB84VD22294EE-90PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50207-1E  
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM  
CMOS  
32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &  
8M (× 8/×16) STATIC RAM  
MB84VD2228XEA-90/MB84VD2229XEA-90  
MB84VD2228XEE-90/MB84VD2229XEE-90  
■ FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 V to 3.3 V  
• High performance  
90 ns maximum access time (Flash)  
70 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–25°C to +85°C  
• Package 71-ball BGA  
(Continued)  
■ PRODUCT LINE UP  
Flash Memory  
SRAM  
+0.3 V  
–0.3 V  
Ordering Part No.  
MB84VD2228XEA/EE-90/MB84VD2229XEA/EE-90  
VCCf, VCCs= 3.0V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
40  
70  
70  
35  
■ PACKAGE  
71-ball plastic FBGA  
(BGA-71P-M01)  
1234567...63

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与MB84VD22294EE-90PBS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB84VD22294EE-90-PBS FUJITSU

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 		32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM
MB84VD22386EJ SPANSION

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 		32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM
MB84VD22386EJ-85 SPANSION

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 		32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM
MB84VD22386EJ-85-PBS SPANSION

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 		32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM
MB84VD22386EJ-85-PBS FUJITSU

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
MB84VD22386EJ-90 SPANSION

获取价格

 		32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM
MB84VD22386EJ-90-PBS SPANSION

获取价格

 		32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM
MB84VD22386EJ-90-PBS FUJITSU

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
MB84VD22386EJ-90-PBS-E1 SPANSION

获取价格

 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
MB84VD22387EJ-85 SPANSION

获取价格

 		32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM

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