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MB84VD22293EE-85PBS

更新时间： 2024-01-31 23:00:18

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	1165K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71

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MB84VD22293EE-85PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA71,8X12,32
针数：	71	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	512K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B71
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA71,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.053 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50207-4E

Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &

8M (× 8/×16) STATIC RAM

MB84VD2228XEA/EE^-85

MB84VD2229XEA/EE^-85

■ FEATURES

• Power Supply Voltage of 2.7 V to 3.3 V

• High Performance

85 ns maximum access time (Flash)

70 ns maximum access time (SRAM)

• Operating Temperature

–25°C to +85°C

• Package 71-ball FBGA

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Flash Memory

SRAM

-85

+0.3 V

–0.3 V

+0.3 V

–0.3 V

Power Supply Voltage (V)

V^CCf*= 3.0V

V^CCs*= 3.0V

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

*: Both V^CCf and V^CCs must be in recommended operation range when either part is being accessed.

■ PACKAGE

71-ball plastic FBGA

(BGA-71P-M01)

12 3 4 5 6 7...57

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