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MB84VD22291EE-90-PBS

更新时间: 2024-11-28 22:09:39
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富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
63页 1270K
描述
32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM

MB84VD22291EE-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TFBGA,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:512K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码:R-PBGA-B71JESD-609代码:e0
长度:12 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:16
功能数量:1端子数量:71
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7 mmBase Number Matches:1

MB84VD22291EE-90-PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50207-1E  
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM  
CMOS  
32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &  
8M (× 8/×16) STATIC RAM  
MB84VD2228XEA-90/MB84VD2229XEA-90  
MB84VD2228XEE-90/MB84VD2229XEE-90  
FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 V to 3.3 V  
• High performance  
90 ns maximum access time (Flash)  
70 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–25°C to +85°C  
• Package 71-ball BGA  
(Continued)  
PRODUCT LINE UP  
Flash Memory  
SRAM  
+0.3 V  
–0.3 V  
Ordering Part No.  
MB84VD2228XEA/EE-90/MB84VD2229XEA/EE-90  
VCCf, VCCs= 3.0V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
40  
70  
70  
35  
PACKAGE  
71-ball plastic FBGA  
(BGA-71P-M01)  

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