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MB84VD22291EA-90

更新时间: 2024-11-29 11:56:39
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富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
63页 1270K
描述
32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM

MB84VD22291EA-90 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:FBGA, BGA71,8X12,32Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.77
最长访问时间:90 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B71
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
混合内存类型:FLASH+SRAM端子数量:71
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA71,8X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH电源:3 V
认证状态:Not Qualified子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.053 mA标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:HYBRID
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

MB84VD22291EA-90 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50207-1E  
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM  
CMOS  
32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &  
8M (× 8/×16) STATIC RAM  
MB84VD2228XEA-90/MB84VD2229XEA-90  
MB84VD2228XEE-90/MB84VD2229XEE-90  
FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 V to 3.3 V  
• High performance  
90 ns maximum access time (Flash)  
70 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–25°C to +85°C  
• Package 71-ball BGA  
(Continued)  
PRODUCT LINE UP  
Flash Memory  
SRAM  
+0.3 V  
–0.3 V  
Ordering Part No.  
MB84VD2228XEA/EE-90/MB84VD2229XEA/EE-90  
VCCf, VCCs= 3.0V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
40  
70  
70  
35  
PACKAGE  
71-ball plastic FBGA  
(BGA-71P-M01)  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
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Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
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