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MB84VD22291EA-90-PBS

更新时间： 2024-11-28 22:09:39

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
63页	1270K
描述
32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM

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MB84VD22291EA-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TFBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	512K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B71	JESD-609代码：	e0
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50207-1E

Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &

8M (× 8/×16) STATIC RAM

MB84VD2228XEA^-90/MB84VD2229XEA^-90

MB84VD2228XEE^-90/MB84VD2229XEE^-90

■ FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 V to 3.3 V

• High performance

90 ns maximum access time (Flash)

70 ns maximum access time (SRAM)

• Operating Temperature

–25°C to +85°C

• Package 71-ball BGA

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Flash Memory

SRAM

+0.3 V

–0.3 V

Ordering Part No.

MB84VD2228XEA/EE-90/MB84VD2229XEA/EE-90

V^CCf, V^CCs= 3.0V

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGE

71-ball plastic FBGA

(BGA-71P-M01)

12 3 4 5 6 7...63

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MB84VD22291EE-90-PBS	FUJITSU	获取价格	32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM
MB84VD22292EA	FUJITSU	获取价格	32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM
MB84VD22292EA-85PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
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