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M68732H

更新时间： 2024-02-02 23:13:14
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 450-470MHz, 7W, FM PORTABLE RADIO

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M68732H 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLNG,1.0"H.SPACE
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N特性阻抗：50 Ω
构造：MODULE最大输入功率 (CW)：18.45 dBm
最大工作频率：400 MHz最小工作频率：380 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-30 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：FLNG,1.0"H.SPACE
电源：7.2 V射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers技术：HYBRID
最大电压驻波比：20Base Number Matches：1

M68732H 数据手册

 浏览型号M68732H的Datasheet PDF文件第2页 
MITSUBISHI RF POWER MODULE  
M68732H  
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 450-470MHz, 7W, FM PORTABLE RADIO  
Dimensions in mm  
OUTLINE DRAWING  
BLOCK DIAGRAM  
30±0.2  
2
3
26.6±0.2  
21.2±0.2  
2-R1.5±0.1  
1
4
5
5
1
2
3
4
0.45  
6±1  
PIN:  
13.7±1  
18.8±1  
1
2
3
4
5
Pin : RF INPUT  
VGG : GATE BIAS SUPPLY  
VDD : DRAIN BIAS SUPPLY  
PO : RF OUTPUT  
23.9±1  
GND: FIN  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Supply voltage  
Gate bias voltage  
Input power  
VGG£3.5V, ZG=ZL=50W  
9.2  
4
VGG  
V
Pin  
f=450-470MHz, ZG=ZL=50W  
f=450-470MHz, ZG=ZL=50W  
f=450-470MHz, ZG=ZL=50W  
70  
10  
mW  
W
PO  
Output power  
TC (OP)  
Operation case temperature  
Storage temperature  
-30 to +100  
-40 to +110  
°C  
°C  
Tstg  
Note. Above parameters are guaranteed independently.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C, ZG=ZL=50Wunless otherwise noted)  
Symbol Parameter Test conditions  
Limits  
Unit  
Min  
Max  
470  
f
Frequency range  
Output power  
Total efficiency  
450  
7
MHz  
W
PO  
hT  
VDD=7.2V,  
VGG=3.5V,  
Pin=50mW  
43  
%
2nd. harmonic  
Input VSWR  
2fO  
r in  
-25  
4
dBc  
-
ZG=50W, VDD=4-9.2V,  
Load VSWR<4:1  
No parasitic oscillation  
-
-
-
-
Stability  
No degradation or  
destroy  
VDD=9.2V, Pin=50mW,  
PO=7W (VGG adjust), ZL=20:1  
Load VSWR tolerance  
Note. Above parameters, ratings, limits and test conditions are subject to change.  
Nov. ´97  
12

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