M68745L

更新时间： 2024-11-06 22:46:35

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
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描述
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 806-870MHz, 3.8W, FM PORTABLE RADIO

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M68745L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,1.65"H.SPACE
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	MODULE	最大输入功率 (CW)：	7.78 dBm
最大工作频率：	870 MHz	最小工作频率：	806 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	FLNG,1.65"H.SPACE
电源：	7.2 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	技术：	HYBRID
最大电压驻波比：	20	Base Number Matches：	1

M68745L 数据手册

MITSUBISHI RF POWER MODULE

M68745L

SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 806-870MHz, 3.8W, FM PORTABLE RADIO

Dimensions in mm

OUTLINE DRAWING

BLOCK DIAGRAM

2-R1.5

8.5

(36.5)

PIN:

Pin : RF INPUT

VGG : GATE BIAS SUPPLY

VDD : DRAIN BIAS SUPPLY

PO : RF OUTPUT

GND: FIN

1.5

6.4

32.2

H50

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)

Symbol

VDD

Parameter

Conditions

Ratings

Unit

Supply voltage

Gate bias voltage

Input power

ZG=ZL=50W

VGG

5.5

f=806-870MHz, ZG=ZL=50W

Output power

TC (OP)

Tstg

Operation case temperature

Storage temperature

-30 to +100

-40 to +100

°C

Note. Above parameters are guaranteed independently.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C, ZG=ZL=50Wunless otherwise noted)

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min

Max

870

Frequency range

Output power

2nd. harmonic

Input VSWR

806

3.8

MHz

2fO

r in

VDD=7.2V, VGG=5V, Pin=1mW,

ZG=ZL=50W

-30

dBc

PO=3.8W(VGG=Adjust), VDD=7.2V,

Pin=1mW, ZG=ZL=50W

Total efficiency

Stability

ZG=ZL=50W, VDD=5-9.3V,

Load VSWR <4:1

No parasitic oscillation

VDD=9V, Pin=1mW,

PO=3.8W (VGG Adjust), ZL=20:1

No degradation or

destroy

Load VSWR tolerance

Note. Above parameters, ratings, limits and test conditions are subject to change.

Nov. ´97

12 3

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