M68762SL

更新时间： 2024-11-08 22:46:35

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器手机高功率电源
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描述
Silicon Bipolar Power Amplifier, 350-400MHz 30W FM Mobile

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M68762SL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,2.4"H.SPACE
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
最大输入功率 (CW)：	27.78 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	400 MHz	最小工作频率：	350 MHz
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	FLNG,2.4"H.SPACE
电源：	12.5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	技术：	BIPOLAR
最大电压驻波比：	20	Base Number Matches：	1

M68762SL 数据手册

MITSUBISHI RF POWER MODULE

M68762SL

Silicon Bipolar Power Amplifier, 350-400MHz 30W FM Mobile

Dimensions in mm

OUTLINE DRAWING

BLOCK DIAGRAM

66+/-0.5

60+/-0.5

3+/-0.3

7.25+/-0.8

51.5+/-0.5

2-R2+/-0.5

phi 0.45

+/-0.2

12+/-1

16.5+/-1

33.0+/-1

43.5+/-1

55.5+/-1

PIN:

Pin : RF INPUT

: 1st. DC SUPPLY

Vcc1

Vcc2

Vcc3

: 2nd. DC SUPPLY

: 3rd. DC SUPPLY

: RF OUTPUT

GND : FIN

MAXIMUM RATINGS (Tc=25deg C UNLESS OTHERWISE NOTED)

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

Vcc SUPPLY VOLTAGE

RATINGS

UNIT

Z_G=Z_L=50 ohms

600

Icc

TOTAL CURRENT

INPUT POWER

Vcc1<12.5V, Z_G=Z_L=50 ohms

OUTPUT POWER

Tc(OP)

Tstg

OPERATION CASE TEMPERATURE Z_G=Z_L=50 ohms

STORAGE TEMPERATURE

-30 to +110

-40 to +110

deg. C

Note:Above parameters are guaranteed independently.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25deg.C UNLESS OTHERWISE NOTED)

SYMBOL

PARAMETER

TEST CONDITIONS

LIMITS

UNIT

MIN

350

MAX

400

FREQUENCY RANGE

OUTPUT POWER

MHz

Efficiency TOTAL EFFICIENCY

V_CC=12.5V,

Pin=0.3W,

Z_G=Z_L=50 ohms

2fo

3fo

2nd HARMONIC

3rd HARMONIC

-30

3.5

dBc

VSWR in INPUT VSWR

STABILITY

(note 1)

Z_G=50 ohms, V_CC1=5-12.5V, Vcc2=Vcc3=10-16V

(Vcc1<Vcc2=Vcc3)

No parasitic

oscillation

Po<40W (Pin control), Load VSWR < 3.0:1(all phase)

VSWRT LOAD VSWR TOLERANCE V_CC=15.2V,Po=30W(Pin control)

Z_G=50 ohms, LOAD VSWR=20:1

No degradation

or destroy

NOTE: Above parameters, ratings, limits and conditions are subject to change.

NOTE1: Stability is tested by sampling test (10pcs/LOT)

Keep safety first in your circuit designs!

Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more

reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead

to personal injury, fire or property damage. Remember to give due consideration to safety when making your circuit

designs, with appropriate measures such as (i) placement of substitutive, auxiliary circuits, (ii) use of non-flammable

material or (iii) prevention against any malfunction or mishap.

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与M68762SL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M68763H	MITSUBISHI	获取价格	230-250MHz, 7.2V, 5.3W, FM PORTABLE RADIO
M68763L	MITSUBISHI	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier, 180MHz Min, 200MHz Max, Hybrid,
M68763M	MITSUBISHI	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier, 223MHz Min, 226MHz Max, Hybrid,
M68763SH	MITSUBISHI	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier, 262MHz Min, 268MHz Max, Hybrid,
M68765	MITSUBISHI	获取价格	135-175MHz, 5.5W, FM PORTABLE
M68769H	MITSUBISHI	获取价格	450-490MHz, 12.5V, 45W, FM PORTABLE RADIO
M68769L	MITSUBISHI	获取价格	400-450MHz, 12.5V, 45W, FM MOBILE RADIO
M68769SH	MITSUBISHI	获取价格	470-512MHz, 12.5V, 45W, FM MOBILE RADIO
M68772	MITSUBISHI	获取价格	Silicon MOS FET Power Amplifier, 890-915MHz 13W FM Mobile
M68776	MITSUBISHI	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier, 135MHz Min, 175MHz Max, 1 Func, Hybrid,

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