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M5M54R04J-12

更新时间： 2024-11-28 22:06:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M54R04J-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ32,.44
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
功能数量：1端子数量：32
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

M5M54R04J-12 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M54R04J-12,-15  
1997.11.20 Rev.F  
4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The M5M54R04J is a family of 1048576-word by 4-bit static  
RAMs, fabricated with the high performance CMOS silicon gate  
process and designed for high speed application.  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
A0  
1
2
32 A19  
The M5M54R04J is offered in a 32-pin plastic small outline J-  
lead package(SOJ).  
31  
A1  
A2  
A3  
A4  
A18  
address  
inputs  
address  
inputs  
30  
3
4
5
A17  
A16  
A15  
OE  
29  
28  
27  
These device operate on a single 5V supply, and are directly  
chip select  
input  
output enable  
input  
TTL compatible. They include a power down feature as well.  
FEATURES  
6
7
8
S
DQ1  
VCC  
GND  
DQ2  
W
data inputs/  
26  
25  
24  
DQ4 data inputs/  
GND  
VCC  
outputs  
(5V)  
outputs  
(0V)  
• Fast access time  
M5M54R04J-12 •••• 12ns(max)  
M5M54R04J-15 •••• 15ns(max)  
(0V)  
data inputs/  
outputs  
9
(5V)  
data inputs/  
10  
23 DQ3  
• Low power dissipation  
Active •••••••••• 450mW(typ)  
Stand by •••••••••• 5mW(typ)  
outputs  
22  
11  
12  
13  
A14  
A13  
write control  
input  
21  
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
• Single +5V power supply  
• Fully static operation : No clocks, No refresh  
• Common data I/O  
address  
inputs  
20 A12  
address  
inputs  
19  
14  
15  
16  
A11  
18 A10  
• Easy memory expansion by S  
17  
NC  
• Three-state outputs : OR-tie capability  
• OE prevents data contention in the I/O bus  
• Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 32P0K(SOJ)  
PACKAGE  
32pin 400mil SOJ  
APPLICATION  
High-speed memory units  
BLOCK DIAGRAM  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
7
A0  
1
2
10  
23  
26  
A1  
A2  
3
MEMORY ARRAY  
512 ROWS  
8192 COLUMNS  
A3  
A4  
A5  
4
address  
inputs  
data  
5
inputs/  
outputs  
12  
13  
14  
15  
A6  
A7  
A8  
COLUMN I/O CIRCUITS  
S
6
COLUMN ADDRESS  
DECODERS  
8
VCC(5V)  
GND(0V)  
W
11  
24  
COLUMN INPUT BUFFERS  
9
OE 27  
25  
16 18 19  
31 32  
20 21 22 28 29 30  
A9 A10 A11A12 A13A14 A15 A16 A17 A18 A19  
address  
inputs  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
123456

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与M5M54R04J-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M54R04J-15 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R04J-20 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 1MX4, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, SOJ-32
M5M54R08AJ-10 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08AJ-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08AJ-15 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08ATP-12 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
M5M54R08J-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08J-15 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08J-20 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, SOJ-36
M5M54R16AJ-10 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

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