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M5M54R04J-20

更新时间: 2024-11-29 19:40:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 148K
描述
Standard SRAM, 1MX4, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, SOJ-32

M5M54R04J-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ32,.44
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:32
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M54R04J-20 数据手册

  

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