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Datasheet > 存储 > SRAM> M5M54R08J-15
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M5M54R08J-15

更新时间： 2024-11-28 22:06:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M54R08J-15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ36,.44针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J36
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

M5M54R08J-15 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M54R08J-12,-15  
1997.11.20 Rev.F  
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The M5M54R08J is a family of 524288-word by 8-bit static  
RAMs, fabricated with the high performance CMOS silicon gate  
process and designed for high speed application.  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
1
2
36 NC  
35 A18  
34 A17  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
S
The M5M54R08J is offered in a 36-pin plastic small outline J-  
lead package(SOJ).  
address  
inputs  
address  
inputs  
3
4
5
33  
A16  
These device operate on a single 5V supply, and are directly  
32 A15  
31 OE  
30 DQ8  
output enable  
input  
chip select  
input  
data inputs/  
outputs  
TTL compatible. They include a power down feature as well.  
6
7
8
data  
DQ1  
DQ2  
VCC  
GND  
DQ3  
FEATURES  
inputs/  
29  
DQ7  
outputs  
• Fast access time  
M5M54R08J-12 •••• 12ns(max)  
M5M54R08J-15 •••• 15ns(max)  
(5V)  
(0V)  
9
28 GND  
(0V)  
data  
10  
27  
(5V)  
VCC  
DQ6  
data  
• Low power dissipation  
Active •••••••••• 550mW(typ)  
Stand by •••••••••• 5mW(typ)  
26  
11  
inputs/  
inputs/  
outputs  
write control  
input  
DQ4 12  
25 DQ5  
outputs  
• Single +5V power supply  
• Fully static operation : No clocks, No refresh  
• Common data I/O  
13  
24  
W
A14  
A13  
23  
A5 14  
A6 15  
address  
inputs  
22  
A12  
address  
inputs  
• Easy memory expansion by S  
16  
21 A11  
A7  
A8  
A9  
• Three-state outputs : OR-tie capability  
• OE prevents data contention in the I/O bus  
• Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
A10  
17  
18  
20  
19  
NC  
Outline 36P0K (SOJ)  
APPLICATION  
High-speed memory units  
PACKAGE  
36pin 400mil SOJ  
BLOCK DIAGRAM  
7
8
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
A0  
1
2
A1  
A2  
11  
12  
25  
26  
3
MEMORY ARRAY  
512 ROWS  
8192 COLUMNS  
A3  
A4  
A5  
4
address  
inputs  
5
14  
15  
16  
17  
29 DQ7  
A6  
A7  
A8  
DQ8  
30  
data  
inputs/  
outputs  
COLUMN I/O CIRCUITS  
S
6
COLUMN ADDRESS  
DECODERS  
9
VCC(5V)  
GND(0V)  
W
13  
27  
COLUMN INPUT BUFFERS  
10  
28  
OE 31  
18 20 21  
22 23 24 32 33 34 35  
A9 A10 A11 A12 A13A14 A15 A16 A16  
A17  
address  
inputs  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
123456

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与M5M54R08J-15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M54R08J-20 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, SOJ-36
M5M54R16AJ-10 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16AJ-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16AJ-15 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16ATP-10 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16ATP-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16ATP-15 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5-4W-M MSYSTEM

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 		Super-mini Terminal Block Signal Conditioners M5-UNIT
M5M5-4W-M/A1 MSYSTEM

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 		Super-mini Terminal Block Signal Conditioners M5-UNIT
M5M5-4W-M/K MSYSTEM

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