是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP32,.56 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 150 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M5M5512FP-15VXL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512FP-45LL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 64KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512FP-45XL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512FP-55LL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512FP-70VXL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512FP-70XL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512FP-85VXL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
M5M5512KR-12VXL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP-32 | |
M5M5512KR-15VLL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP-32 | |
M5M5512KR-45LL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP-32 |