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Datasheet > 存储 > SRAM> M5M54R08AJ-15
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M5M54R08AJ-15

更新时间： 2024-11-28 22:16:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 48K
描述
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M54R08AJ-15 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ36,.44
针数：36Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.31Is Samacsys：N
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J36JESD-609代码：e0
长度：23.49 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.55 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.2 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M5M54R08AJ-15 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
1998.11.30 Ver..B  
M5M54R08AJ-10,-12,-15  
P RELIMINARY  
Notice: This is not a final specification.  
Some parametric limits are subject to change  
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
DESCRIPTION  
The M5M54R08AJ is a family of 524288-word by 8-bit  
static RAMs, fabricated with the high performance CMOS  
silicon gate process and designed for high speed  
application.  
1
2
36 NC  
35 A18  
34 A17  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
S
DQ1  
DQ2  
VCC  
address  
inputs  
address  
inputs  
3
4
5
33  
A16  
These devices operate on a single 3.3V supply, and are  
directly TTL compatible. They include a power down  
feature as well.  
32 A15  
31 OE  
30 DQ8  
output enable  
input  
chip select  
input  
datainputs/  
outputs  
6
7
8
data  
inputs/  
29  
DQ7  
outputs  
(3.3V)  
(0V)  
9
28 GND  
FEATURES  
•Fast access time  
(0V)  
data  
10  
27  
(3.3V)  
data  
inputs/  
outputs  
GND  
DQ3  
VCC  
DQ6  
M5M54R08AJ-10 ... 10ns(max)  
M5M54R08AJ-12 ... 12ns(max)  
M5M54R08AJ-15 ... 15ns(max)  
26  
11  
inputs/  
outputs  
write control  
input  
DQ4 12  
25 DQ5  
13  
24  
W
A14  
A13  
23  
A5 14  
A6 15  
•Single +3.3V power supply  
•Fully static operation : No clocks, No refresh  
•Common data I/O  
22  
A12  
address  
inputs  
address  
inputs  
16  
21 A11  
A7  
A8  
A9  
A10  
17  
18  
20  
•Easy memory expansion by S  
19  
NC  
•Three-state outputs : OR-tie capability  
•OE prevents data contention in the I/O bus  
•Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 36P0K (SOJ)  
PACKAGE  
M5M54R08AJ  
APPLICATION  
High-speed memory units  
: 36pin 400mil SOJ  
BLOCK DIAGRAM  
A0  
1
2
7
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
A1  
A2  
8
3
11  
12  
25  
26  
A3  
A4  
A5  
4
address  
inputs  
MEMORY ARRAY  
1024 ROWS  
4096 COLUMNS  
5
14  
15  
16  
17  
A6  
A7  
A8  
29 DQ7  
DQ8  
30  
data  
inputs/  
A9 18  
outputs  
COLUMN I/O CIRCUITS  
S
6
COLUMN ADDRESS  
DECODERS  
9
VCC(3.3V)  
GND(0V)  
W
13  
27  
COLUMN INPUT BUFFERS  
10  
28  
OE 31  
20 21  
22 23 24 32 33 34 35  
A10 A11A12 A13A14 A15 A16 A16  
A17  
address inputs  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
123456

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与M5M54R08AJ-15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M54R08ATP-12 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
M5M54R08J-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08J-15 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R08J-20 MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, SOJ-36
M5M54R16AJ-10 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16AJ-12 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16AJ-15 MITSUBISHI

获取价格

 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M54R16ATP-10 MITSUBISHI

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M5M54R16ATP-12 MITSUBISHI

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