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M5M51008RV-10L PDF预览

M5M51008RV-10L

更新时间： 2024-11-01 22:25:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51008RV-10L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SOP, TSSOP32,.8,20针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
反向引出线：YES最大待机电流：0.00005 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

M5M51008RV-10L 数据手册

 浏览型号M5M51008RV-10L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M51008RV-10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M51008RV-10L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M51008RV-10L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M51008RV-10L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M51008RV-10L的Datasheet PDF文件第7页 
1997-3/25  
MITSUBISHI LSIs  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR -55L,-70L,-10L,  
-55LL,-70LL,-10LL  
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR are a 1048576-bit CMOS  
static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are  
fabricated using high-performance triple polysilicon CMOS  
technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS  
periphery result in a high density and low power static RAM.  
They are low standby current and low operation current and ideal  
for the battery back-up application.  
The M5M51008BVP,RV,KV,KR are packaged in a 32-pin thin  
small outline package which is a high reliability and high density  
surface mount device(SMD).Two types of devices are available.  
VP,KV(normal lead bend type package),RV,KR(reverse lead bend  
type package). Using both types of devices, it becomes very easy  
to design a printed circuit board.  
1
2
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
VCC  
A15  
S2  
ADDRESS  
INPUT  
CHIP SELECT  
INPUT  
WRITE CONTROL  
INPUT  
3
4
W
5
A13  
A8  
6
A6  
ADDRESS  
INPUTS  
ADDRESS  
INPUTS  
7
A5  
A9  
8
A4  
A11  
OE  
A10  
OUTPUT ENABLE  
INPUT  
9
A3  
ADDRESS  
10  
11  
12  
13  
A2  
INPUT  
CHIP SELECT  
INPUT  
A1  
S1  
A0  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
FEATURES  
DQ1  
Power supply current  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
Access time  
(max)  
DQ2 14  
Active  
(1MHz)  
(max)  
Type name  
stand-by  
(max)  
15  
DQ3  
16  
GND  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-55L  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-70L  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-10L  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-55LL  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-70LL  
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-10LL  
55ns  
70ns  
100µA  
15mA  
15mA  
Outline 32P4(P), 32P2M-A(FP)  
(Vcc=5.5V)  
100ns  
55ns  
20µA  
(Vcc=5.5V)  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A11  
OE  
A10  
S1  
70ns  
2
A9  
0.3µA  
(Vcc=3.0V,typ)  
100ns  
3
A8  
4
A13  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
GND  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
A0  
Single +5V power supply  
Low stand-by current 0.3µA (typ.)  
5
W
6
S2  
Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Easy memory expansion and power down by S1,S2  
Data hold on +2V power supply  
Three-state outputs : OR - tie capability  
OE prevents data contention in the I/O bus  
Common data I/O  
7
A15  
8
VCC  
M5M51008BVP,KV  
9
NC  
10  
A16  
11  
A14  
12  
Package  
A12  
M5M51008BP  
M5M51008BFP  
M5M51008BVP,RV ···········3·2pin 8 X 20 mm2 TSOP  
M5M51008BKV,KR ···········3· 2pin 8 X 13.4 mm2 TSOP  
···········3· 2pin 600mil DIP  
···········3· 2pin 525mil SOP  
13  
A7  
14  
A6  
A1  
15  
A5  
A2  
16  
A4  
A3  
APPLICATION  
Small capacity memory units  
Outline 32P3H-E(VP), 32P3K-B(KV)  
A4  
A5  
A6  
A7  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
16  
15  
14  
13  
A3  
A2  
A1  
A0  
A12 12  
A14 11  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
GND  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
S1  
A16  
NC  
VCC  
A15  
S2  
10  
9
24  
M5M51008BRV,KR  
8
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
7
6
5
W
4
A13  
A8  
3
2
A9  
A10  
OE  
1
A11  
Outline 32P3H-F(RV), 32P3K-C(KR)  
NC : NO CONNECTION  
1
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1234567

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与M5M51008RV-10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M51008RV-10L-I MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32
M5M51008RV-10LL MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51008RV-10LL-I MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32
M5M51008RV-10LLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, PLASTIC, TSOP-32
M5M51008RV-10LL-W MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32
M5M51008RV-10LT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, PLASTIC, TSOP-32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32
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M5M51008RV-12LL-W MITSUBISHI

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