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三菱 - MITSUBISHI | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 90K | |
描述 | ||
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, TSSOP32,.8,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M5M51008RV-70LT | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, PLASTIC, TSOP-32 | |
M5M51008RV-70L-W | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 | |
M5M51008RV-70X | MITSUBISHI |
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1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM | |
M5M51008RV-85LL-W | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 | |
M5M51008RV-85LT | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, PLASTIC, TSOP-32 | |
M5M51008RV-85L-W | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 | |
M5M51008VP-10L | MITSUBISHI |
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1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM | |
M5M51008VP-10LL | MITSUBISHI |
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1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM | |
M5M51008VP-10LL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 | |
M5M51008VP-10LLT | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |