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M5M51008RV-12LL-W

更新时间: 2024-02-18 00:06:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 559K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32

M5M51008RV-12LL-W 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-20 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified反向引出线:YES
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M51008RV-12LL-W 数据手册

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