是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | SOP, TSSOP32,.8,20 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M5M51008VP-10LL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 | |
M5M51008VP-10LLT | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
M5M51008VP-10LL-W | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 | |
M5M51008VP-10LT | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
M5M51008VP-10L-W | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 | |
M5M51008VP-12L-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32 | |
M5M51008VP-12LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32 | |
M5M51008VP-12LLT | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
M5M51008VP-55H | MITSUBISHI |
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1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM | |
M5M51008VP-55L | MITSUBISHI |
获取价格 |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |