5秒后页面跳转
M5M4V4800TP-8S PDF预览

M5M4V4800TP-8S

更新时间: 2024-11-30 19:54:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 752K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28

M5M4V4800TP-8S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2, TSOP28,.46针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.00007 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M5M4V4800TP-8S 数据手册

 浏览型号M5M4V4800TP-8S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M4V4800TP-8S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M4V4800TP-8S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M4V4800TP-8S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M4V4800TP-8S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M4V4800TP-8S的Datasheet PDF文件第7页 

与M5M4V4800TP-8S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M4V4800TP-8ST MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900J-6ST MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
M5M4V4900J-6T MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
M5M4V4900J-7ST MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
M5M4V4900J-7T MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
M5M4V4900RT-7T MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900RT-8ST MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900TP-7ST MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900TP-7T MITSUBISHI

获取价格

Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4S40CTP-12 MITSUBISHI

获取价格

4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM