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M5M4V4S40CTP-12 PDF预览

M5M4V4S40CTP-12

更新时间： 2024-09-28 22:16:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
45页 1459K
描述
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM

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M5M4V4S40CTP-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.85Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：12 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：83 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G50JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：50字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.13 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M5M4V4S40CTP-12 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
SDRAM (Rev. 0.3)  
M5M4V4S40CTP-12, -15  
Feb ‘97 Preliminary  
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM  
PRELIMINARY  
Some of contents are described for general products  
and are subject to change without notice.  
PIN CONFIGURATION  
(TOP VIEW)  
DESCRIPTION  
The M5M4V4S40CTP is a 2-bank x 131,072-word x 16-bit  
Synchronous DRAM, with LVTTL interface. All inputs and  
outputs are referenced to the rising edge of CLK. The  
M5M4V4S40CTP achieves very high speed data rates up to  
83MHz, and is suitable for main memory or graphic memory  
in computer systems.  
Vdd  
DQ0  
DQ1  
VssQ  
DQ2  
DQ3  
VddQ  
DQ4  
DQ5  
VssQ  
DQ6  
DQ7  
VddQ  
DQML  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
1
2
3
4
5
6
7
8
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
Vss  
DQ15  
DQ14  
VssQ  
DQ13  
DQ12  
VddQ  
DQ11  
DQ10  
VssQ  
DQ9  
DQ8  
VddQ  
NC  
DQMU  
CLK  
CKE  
NC  
NC  
NC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
FEATURES  
- Single 3.3v±0.3v power supply  
- Clock frequency 83MHz / 67MHz  
- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge  
- Dual bank operation controlled by BA(Bank Address)  
- /CAS latency- 1/2/3 (programmable)  
- Burst length- 1/2/4/8/FP (programmable)  
- Sequential and interleave burst (programmable)  
- Byte control by DQMU and DQML  
- Random column access  
BA  
A8  
A0  
A1  
A2  
A3  
Vdd  
A7  
A6  
A5  
A4  
- Auto precharge / All bank precharge controlled by A8  
- Auto and self refresh  
Vss  
- 1024 refresh cycles /16.4ms  
- LVTTL Interface  
- 400-mil, 50-pin Thin Small Outline Package  
CLK  
CKE  
/CS  
: Master Clock  
: Clock Enable  
: Chip Select  
(TSOP II) with 0.8mm lead pitch  
/RAS  
/CAS  
/WE  
: Row Address Strobe  
: Column Address Strobe  
: Write Enable  
DQ0-15  
DQMU  
DQML  
A0-8  
: Data I/O  
: Upper Output Disable/ Write Mask  
: Lower Output Disable/ Write Mask  
: Address Input  
BA  
: Bank Address  
Vdd  
VddQ  
Vss  
: Power Supply  
: Power Supply for Output  
: Ground  
Max.  
Frequency  
CLK Access  
Time  
VssQ  
: Ground for Output  
M5M4V4S40CTP-12  
M5M4V4S40CTP-15  
83MHz  
67MHz  
8ns  
9ns  
1
MITSUBISHI ELECTRIC  
1234567...45

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M5M4V4S40CTP-12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS42S16128-8T ISSI

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