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M5M4V4900J-7ST

更新时间： 2024-11-29 20:53:31

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	872K
描述
Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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M5M4V4900J-7ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
长度：	18.41 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	9
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX9	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.55 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4V4900J-7T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
M5M4V4900RT-7T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900RT-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX9, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900TP-7ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4900TP-7T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V4S40CTP-12	MITSUBISHI	获取价格	4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V4S40CTP-15	MITSUBISHI	获取价格	4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S20ATP-10	MITSUBISHI	获取价格	64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S20ATP-10L	MITSUBISHI	获取价格	64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S20ATP-12	MITSUBISHI	获取价格	64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM