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M5M4V64S20ATP-12 PDF预览

M5M4V64S20ATP-12

更新时间： 2024-11-28 22:30:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
48页 1097K
描述
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM

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M5M4V64S20ATP-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.56访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：8 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：83 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

M5M4V64S20ATP-12 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
SDRAM (Rev.0.2)  
M5M4V64S20ATP-8, -10, -12  
Jan'97 Preliminary  
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM  
PRELIMINARY  
Some of contents are subject to change without notice.  
PIN CONFIGURATION  
(TOP VIEW)  
DESCRIPTION  
The M5M4V64S20ATP is a 4-bank x 4194304-word x 4-bit  
Synchronous DRAM, with LVTTL interface. All inputs and  
outputs are referenced to the rising edge of CLK. The  
M5M4V64S20ATP achieves very high speed data rate up to  
125MHz, and is suitable for main memory or graphic memory  
in computer systems.  
Vdd  
NC  
VddQ  
NC  
DQ0  
VssQ  
NC  
NC  
VddQ  
NC  
DQ1  
VssQ  
NC  
Vdd  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
54  
Vss  
NC  
VssQ  
NC  
DQ3  
VddQ  
NC  
NC  
VssQ  
NC  
DQ2  
VddQ  
NC  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
FEATURES  
- Single 3.3v±0.3v power supply  
Vss  
NC (Vref)  
DQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
- Clock frequency 125MHz / 100MHz / 83MHz  
- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge  
- 4 bank operation controlled by BA0, BA1 (Bank Address)  
- /CAS latency- 2/3 (programmable)  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
BA0(A13)  
BA1(A12)  
A10  
- Burst length- 1/2/4/8 (programmable)  
A0  
A1  
A2  
A3  
- Burst type- sequential / interleave (programmable)  
- Column access - random  
Vdd  
Vss  
- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10  
- Auto refresh and Self refresh  
- 4096 refresh cycles /64ms  
- Column address A0-A9  
CLK  
: Master Clock  
: Clock Enable  
: Chip Select  
CKE  
/CS  
- LVTTL Interface  
/RAS  
/CAS  
/WE  
: Row Address Strobe  
: Column Address Strobe  
: Write Enable  
- 400-mil, 54-pin Thin Small Outline Package (TSOP II) with  
0.8mm lead pitch  
DQ0-3  
DQM  
A0-11  
BA0,1  
Vdd  
: Data I/O  
: Output Disable/ Write Mask  
: Address Input  
Max.  
CLK Access  
Time  
Frequency  
: Bank Address  
M5M4V64S20ATP-8  
M5M4V64S20ATP-10  
M5M4V64S20ATP-12  
125MHz  
100MHz  
83MHz  
6ns  
: Power Supply  
VddQ  
Vss  
: Power Supply for Output  
: Ground  
8ns  
8ns  
VssQ  
: Ground for Output  
1
MITSUBISHI ELECTRIC  
1234567...48

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