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M5M4C264AJ-8

更新时间： 2024-11-26 20:03:11

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	924K
描述
Video DRAM, 64KX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24

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M5M4C264AJ-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ24,.34	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.89
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 4 SAM PORT	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
JESD-609代码：	e0	长度：	15.87 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	VIDEO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	24
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ24,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...30

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4C264AJ-8T	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
M5M4C264AL-12	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PZIP24, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-24
M5M4C264AL-8	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 80ns, CMOS, PZIP24, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-24
M5M4C264L-15	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, PZIP24, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-24
M5M4C264P-12	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP24, 0.400 INCH, DIP-24
M5M4C264P-15	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.400 INCH, DIP-24
M5M4C500AL-3	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 25ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500AL-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500L-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500VP-3	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 25ns, CMOS, PDSO28