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M5M4S16G50DFP-10

更新时间： 2024-11-26 20:41:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	166K
描述
Video DRAM, 512KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100

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M5M4S16G50DFP-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	QFP, QFP100,.7X.9
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.7X.9	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.3 mm
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

M5M4S16G50DFP-10 数据手册

MITSUBISHI LSIs

SGRAM (Rev. 0.0)

M5M4S16G50DFP -7, -8,-10

April '97 Preliminary

16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM

PRELIMINARY

Some of contents are described for general products

and are subject to change without notice.

DESCRIPTION

The M5M4S16G50DFP is a 2-bank x 262,144-word x 32-bit Synchronous GRAM,

with SSTL interface. All inputs and outputs are referenced to the rising edge of

CLK. The M5M4S16G50DFP can operate at frequencies of 100+ MHz. The

BLOCK WRITE and WRITE-PER-BIT functions provide improved performance

in graphic memory systems.

FEATURES

- Single 3.3v±0.3v power supply

- Clock frequencies of 143 MHz

- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

- Dual bank operation controlled by A10(Bank Address)

- Internal pipelined operation: column address can be changed every clock cycle

- Programmable /CAS Latency (SSTL: 2 and 3)

- Programmable Burst Length (1/2/4/8 and Full Page)

- Programmable Burst Type (Sequential / Interleave)

- Byte control using DQM0 - DQM3 signals in both read and write cycles

- Persistent Write-Per-Bit (WPB) function

- 8 Column Block Write (BW) function

- Auto Precharge / All bank precharge controlled by A9

- Auto Refresh and Self Refresh Capability

- 2048 refresh cycles /32ms

- SSTL Interface and pin58 is Vref. If pin 58 is VCCQ, then the device turned

LVTTL Interface

- 100 pin QFP package with 0.65mm lead pitch

Max.

Frequency

CLK Access

Time

M5M4V16G50DFP - 7

M5M4V16G50DFP- 8

M5M4V16G50DFP- 10

143MHz

125MHz

100MHz

5.6ns

6.4ns

8.0ns

MITSUBISHI ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4S16G50DFP-7	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 5.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16G50DFP-8	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 6.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16S21CTP-10	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-10T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-7	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-7T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-8	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-8T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S31CTP-10	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S31CTP-10T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44

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