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M5M4V16160BJ-6ST

更新时间： 2024-11-26 14:52:59

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	974K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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M5M4V16160BJ-6ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.42
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
长度：	27.3 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.55 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4V16160BJ-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M4V16160BJ-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M4V16160BRT-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BRT-8S	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BRT-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BRT-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BTP-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BTP-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BTP-7ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M4V16160BTP-7T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44