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M5M4S16G50DFP-7

更新时间： 2024-11-26 20:41:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	166K
描述
Video DRAM, 512KX32, 5.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100

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M5M4S16G50DFP-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	QFP, QFP100,.7X.9
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.7X.9	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.3 mm
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

M5M4S16G50DFP-7 数据手册

MITSUBISHI LSIs

SGRAM (Rev. 0.0)

M5M4S16G50DFP -7, -8,-10

April '97 Preliminary

16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM

PRELIMINARY

Some of contents are described for general products

and are subject to change without notice.

DESCRIPTION

The M5M4S16G50DFP is a 2-bank x 262,144-word x 32-bit Synchronous GRAM,

with SSTL interface. All inputs and outputs are referenced to the rising edge of

CLK. The M5M4S16G50DFP can operate at frequencies of 100+ MHz. The

BLOCK WRITE and WRITE-PER-BIT functions provide improved performance

in graphic memory systems.

FEATURES

- Single 3.3v±0.3v power supply

- Clock frequencies of 143 MHz

- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

- Dual bank operation controlled by A10(Bank Address)

- Internal pipelined operation: column address can be changed every clock cycle

- Programmable /CAS Latency (SSTL: 2 and 3)

- Programmable Burst Length (1/2/4/8 and Full Page)

- Programmable Burst Type (Sequential / Interleave)

- Byte control using DQM0 - DQM3 signals in both read and write cycles

- Persistent Write-Per-Bit (WPB) function

- 8 Column Block Write (BW) function

- Auto Precharge / All bank precharge controlled by A9

- Auto Refresh and Self Refresh Capability

- 2048 refresh cycles /32ms

- SSTL Interface and pin58 is Vref. If pin 58 is VCCQ, then the device turned

LVTTL Interface

- 100 pin QFP package with 0.65mm lead pitch

Max.

Frequency

CLK Access

Time

M5M4V16G50DFP - 7

M5M4V16G50DFP- 8

M5M4V16G50DFP- 10

143MHz

125MHz

100MHz

5.6ns

6.4ns

8.0ns

MITSUBISHI ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...33

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与M5M4S16G50DFP-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4S16G50DFP-8	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 6.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16S21CTP-10	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-10T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-7	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-7T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-8	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-8T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S31CTP-10	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S31CTP-10T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S31CTP-7	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44

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