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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | SOP, TSOP44(UNSPEC) |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 149 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSOP44(UNSPEC) | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8 | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.23 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M4S16S21CTP-7T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S21CTP-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S21CTP-8T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| M5M4S16S31CTP-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| M5M4S16S31CTP-10T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S31CTP-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S31CTP-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4V16100BJ-7ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
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| M5M4V16100BJ-8ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
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| M5M4V16100BJ-8T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
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