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M5M4S16S31CTP-10T

更新时间: 2024-11-26 14:10:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 1913K
描述
Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44

M5M4S16S31CTP-10T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:SOP,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G44内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M4S16S31CTP-10T 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
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