5秒后页面跳转
M5M4C500AL-5 PDF预览

M5M4C500AL-5

更新时间: 2024-02-17 04:24:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 554K
描述
DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28

M5M4C500AL-5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:ZIP包装说明:ZIP, ZIP28,.1
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.85最长访问时间:40 ns
其他特性:INTERNAL 320 ROWS X 256 COLUMNS X 6-BITS MEMORY ARRAYJESD-30 代码:R-PZIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:491520 bit
内存集成电路类型:OTHER DRAM内存宽度:6
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:81920 words
字数代码:80000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:80KX6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP28,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:10.16 mm
最大待机电流:0.004 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:2.8 mmBase Number Matches:1

M5M4C500AL-5 数据手册

 浏览型号M5M4C500AL-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M4C500AL-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M4C500AL-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M4C500AL-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M4C500AL-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M4C500AL-5的Datasheet PDF文件第7页 

与M5M4C500AL-5相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M5M4C500L-5 MITSUBISHI DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28

获取价格

M5M4C500VP-3 MITSUBISHI DRAM, 80KX6, 25ns, CMOS, PDSO28

获取价格

M5M4C500VP-5 MITSUBISHI DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PDSO28

获取价格

M5M4C900L MITSUBISHI DRAM, 261KX4, 30ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28

获取价格

M5M4C900L-5 MITSUBISHI Memory IC, CMOS, PZIP28

获取价格

M5M4S16G50DFP-10 MITSUBISHI Video DRAM, 512KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100

获取价格