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M5M4C500AL-5

更新时间： 2024-11-26 19:57:03

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	554K
描述
DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28

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M5M4C500AL-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	ZIP	包装说明：	ZIP, ZIP28,.1
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.85	最长访问时间：	40 ns
其他特性：	INTERNAL 320 ROWS X 256 COLUMNS X 6-BITS MEMORY ARRAY	JESD-30 代码：	R-PZIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	491520 bit
内存集成电路类型：	OTHER DRAM	内存宽度：	6
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	81920 words
字数代码：	80000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	80KX6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP28,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	10.16 mm
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	2.8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4C500L-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500VP-3	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 25ns, CMOS, PDSO28
M5M4C500VP-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PDSO28
M5M4C900L	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 261KX4, 30ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C900L-5	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PZIP28
M5M4S16G50DFP-10	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16G50DFP-7	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 5.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16G50DFP-8	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 6.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16S21CTP-10	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4S16S21CTP-10T	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44