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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 40 ns | 其他特性： | INTERNAL 320 ROWS X 256 COLUMNS X 6-BITS MEMORY ARRAY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | 内存密度： | 491520 bit |
| 内存集成电路类型： | OTHER DRAM | 内存宽度： | 6 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 81920 words |
| 字数代码： | 80000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 80KX6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M4C900L | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM, 261KX4, 30ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28 |
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| M5M4C900L-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Memory IC, CMOS, PZIP28 |
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| M5M4S16G50DFP-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Video DRAM, 512KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100 |
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| M5M4S16G50DFP-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Video DRAM, 512KX32, 5.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100 |
|
| M5M4S16G50DFP-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Video DRAM, 512KX32, 6.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100 |
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| M5M4S16S21CTP-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S21CTP-10T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S21CTP-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| M5M4S16S21CTP-7T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 5ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| M5M4S16S21CTP-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.300 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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