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M5M4C264P-12

更新时间： 2024-11-26 21:15:51

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	962K
描述
Video DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP24, 0.400 INCH, DIP-24

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M5M4C264P-12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP24,.4	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.65
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 4 SAM PORT	JESD-30 代码：	R-PDIP-T24
JESD-609代码：	e0	长度：	29.6 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	VIDEO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	24
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
座面最大高度：	4.8 mm	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.105 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4C264P-15	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.400 INCH, DIP-24
M5M4C500AL-3	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 25ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500AL-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500L-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C500VP-3	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 25ns, CMOS, PDSO28
M5M4C500VP-5	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 80KX6, 40ns, CMOS, PDSO28
M5M4C900L	MITSUBISHI	获取价格	DRAM, 261KX4, 30ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
M5M4C900L-5	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PZIP28
M5M4S16G50DFP-10	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100
M5M4S16G50DFP-7	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 512KX32, 5.6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, QFP-100