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M5M29FT008AVP-12V

更新时间: 2024-09-17 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 112K
描述
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40

M5M29FT008AVP-12V 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G40长度:12.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:40字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-20 °C组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

M5M29FT008AVP-12V 数据手册

  

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