5秒后页面跳转
M5M29FT160ARV-80 PDF预览

M5M29FT160ARV-80

更新时间: 2024-11-21 15:39:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 151K
描述
Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, REVERSE, TSOP1-48

M5M29FT160ARV-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, REVERSE, TSOP1-48
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
备用内存宽度:8启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小:128/256 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:3.3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M5M29FT160ARV-80 数据手册

 浏览型号M5M29FT160ARV-80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M29FT160ARV-80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M29FT160ARV-80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M29FT160ARV-80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M29FT160ARV-80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M29FT160ARV-80的Datasheet PDF文件第7页 
MITSUBISHI LSIs  
M5M29FB/T160AVP,RV-80,-10,-8I  
16,777,216-BIT (2,097,152-WORD BY 8-BIT / 1,048,576-WORD BY16-BIT)  
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The MITSUBISHI M5M29FB/T160AVP,RV are 3.3V-only high  
speed 16,777,216-bit CMOS Flash Memories suitable for mobile  
and personal computing, and communication products.  
The M5M29FB/T160AVP,RV are fabricated by CMOS technology  
for the peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR)  
architecture for the memory cells, and are available in 48pin  
TSOP(I).  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A19  
NC  
BYTE#  
3
GND  
4
DQ15/A-1  
5
DQ7  
6
DQ14  
7
DQ6  
8
DQ13  
9
DQ5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
WE#  
RP#  
NC  
WP#  
RY/BY#  
A18  
A17  
A7  
FEATURES  
Organization  
.................................  
1,048,576 word x 16bit  
2,097,152 word x 8 bit  
VCC = 2.7V~3.6V  
M5M29FB/T160AVP  
.................................  
..............................  
DQ2  
Supply voltage ................................  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE#  
GND  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
...............  
.............  
Access time  
80/100ns (VCC =3.0V~3.6V,Max)  
100/120ns (VCC =2.7V~3.6V,Max)  
CE#  
.......................  
A0  
Wide temperature range  
-80, -10 : 0~70°C  
.......................  
-8I  
: -40~85°C  
Outline  
Power Dissipation  
48P3E-B(12 x 20mm 48pin TSOP type-I :VP/Normal bend)  
.................................  
.................................  
.................................  
.................................  
Read  
90 mW (Max.)  
Program  
108 mW (Max.)  
144 mW (Max.)  
18 µW (Max.)  
0.33µW (typ.)  
48  
A16  
1
2
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A19  
NC  
WE#  
RP#  
NC  
Erase  
BYTE#  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
Standby  
3
GND  
DQ15/A-1  
DQ7  
4
..................  
Deep power down mode  
5
DQ14  
6
DQ6  
7
Auto program  
8
DQ13  
DQ5  
9
.................................  
.................................  
Program Time  
Program Unit  
4ms (typ.)  
DQ12  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
128word(256byte)  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
DQ2  
M5M29FB/T160ARV  
Auto Erase  
Erase time  
Erase Unit  
Boot block  
WP#  
RY/BY#  
A18  
.................................  
40 ms (typ.)  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE#  
A17  
A7  
.................................  
..............................  
.................................  
8Kword / 16Kbyte x 1  
4Kword / 8Kbyte x 2  
16Kword / 32Kbyte x 1  
32Kword / 64Kbyte x 31  
A6  
A5  
Parameter block  
A4  
A3  
A2  
A1  
Main block  
GND  
CE#  
A0  
.................................  
Erase block  
..............................  
..............................  
M5M29FB160A  
M5M29FT160A  
Bottom boot block type  
Top boot block type  
Outline  
48P3E-C(12x20mm 48pin TSOP type-I :RV/Reverse bend)  
.........................  
Program/Erase cycles  
100K cycles  
NC : NO CONNECTION  
Other Functions  
Software Command Control  
Selective Block Lock  
Erase Suspend/Resume  
Program Suspend/Resume  
Status Register Read  
Package  
48-Lead 12mmx 20mm TSOP (type-I) :0.5mm pin pitch  
APPLICATION  
Wireless Communications, Handheld PC, PDA  
1
Feb. 1998 , Rev.1.7  

与M5M29FT160ARV-80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M29FT160AVP-10 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29FT160AVP-12 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48
M5M29FT160AVP-80 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29FT160AVP-8I MITSUBISHI

获取价格

Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29FT200FP-70 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 256KX8, 70ns
M5M29FT200FP-85 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 256KX8, 85ns
M5M29FT200J-70 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 256KX8, 70ns
M5M29FT200VP-85 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 256KX8, 85ns
M5M29FT400FP-70 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 512KX8, 70ns
M5M29FT400J-70 MITSUBISHI

获取价格

Flash, 512KX8, 70ns