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M5M29FT160AVP-8I PDF预览

M5M29FT160AVP-8I

更新时间： 2024-09-18 06:27:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 151K
描述
Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48

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M5M29FT160AVP-8I 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M29FB/T160AVP,RV-80,-10,-8I  
16,777,216-BIT (2,097,152-WORD BY 8-BIT / 1,048,576-WORD BY16-BIT)  
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The MITSUBISHI M5M29FB/T160AVP,RV are 3.3V-only high  
speed 16,777,216-bit CMOS Flash Memories suitable for mobile  
and personal computing, and communication products.  
The M5M29FB/T160AVP,RV are fabricated by CMOS technology  
for the peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR)  
architecture for the memory cells, and are available in 48pin  
TSOP(I).  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A19  
NC  
BYTE#  
3
GND  
4
DQ15/A-1  
5
DQ7  
6
DQ14  
7
DQ6  
8
DQ13  
9
DQ5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
WE#  
RP#  
NC  
WP#  
RY/BY#  
A18  
A17  
A7  
FEATURES  
Organization  
.................................  
1,048,576 word x 16bit  
2,097,152 word x 8 bit  
VCC = 2.7V~3.6V  
M5M29FB/T160AVP  
.................................  
..............................  
DQ2  
Supply voltage ................................  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE#  
GND  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
...............  
.............  
Access time  
80/100ns (VCC =3.0V~3.6V,Max)  
100/120ns (VCC =2.7V~3.6V,Max)  
CE#  
.......................  
A0  
Wide temperature range  
-80, -10 : 0~70°C  
.......................  
-8I  
: -40~85°C  
Outline  
Power Dissipation  
48P3E-B(12 x 20mm 48pin TSOP type-I :VP/Normal bend)  
.................................  
.................................  
.................................  
.................................  
Read  
90 mW (Max.)  
Program  
108 mW (Max.)  
144 mW (Max.)  
18 µW (Max.)  
0.33µW (typ.)  
48  
A16  
1
2
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A19  
NC  
WE#  
RP#  
NC  
Erase  
BYTE#  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
Standby  
3
GND  
DQ15/A-1  
DQ7  
4
..................  
Deep power down mode  
5
DQ14  
6
DQ6  
7
Auto program  
8
DQ13  
DQ5  
9
.................................  
.................................  
Program Time  
Program Unit  
4ms (typ.)  
DQ12  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
128word(256byte)  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
DQ2  
M5M29FB/T160ARV  
Auto Erase  
Erase time  
Erase Unit  
Boot block  
WP#  
RY/BY#  
A18  
.................................  
40 ms (typ.)  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE#  
A17  
A7  
.................................  
..............................  
.................................  
8Kword / 16Kbyte x 1  
4Kword / 8Kbyte x 2  
16Kword / 32Kbyte x 1  
32Kword / 64Kbyte x 31  
A6  
A5  
Parameter block  
A4  
A3  
A2  
A1  
Main block  
GND  
CE#  
A0  
.................................  
Erase block  
..............................  
..............................  
M5M29FB160A  
M5M29FT160A  
Bottom boot block type  
Top boot block type  
Outline  
48P3E-C(12x20mm 48pin TSOP type-I :RV/Reverse bend)  
.........................  
Program/Erase cycles  
100K cycles  
NC : NO CONNECTION  
Other Functions  
Software Command Control  
Selective Block Lock  
Erase Suspend/Resume  
Program Suspend/Resume  
Status Register Read  
Package  
48-Lead 12mmx 20mm TSOP (type-I) :0.5mm pin pitch  
APPLICATION  
Wireless Communications, Handheld PC, PDA  
1
Feb. 1998 , Rev.1.7  
1234567...15

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