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M5M29FT800VP

更新时间： 2024-11-20 22:25:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 154K
描述
8,388,608-BIT (1048,576-576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

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M5M29FT800VP 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：12 X 20 MM, TSOP1-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
其他特性：CONFIGURABLE AS 512K X 16; 100K PROGRAM/ERASE CYCLES启动块：TOP
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M5M29FT800VP 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT)  
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY  
DESCRIPTION  
The MITSUBISHI M5M29FB/T800FP, VP, RV are 3.3V-only high speed 8,388,608-bit CMOS boot block Flash Memories suitable for  
mobile and personal computing, and communication products. The M5M29FB/T800FP, VP, RV are fabricated by CMOS technology for  
the peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR) architecture for the memory cells, and are available in 44pin SOP or 48pin  
TSOP(I).  
FEATURES  
.................................  
.................................  
Organization  
524,288 word x 16bit  
1,048,576 word x 8 bit  
VCC = 3.3V±0.3V  
.............................  
..............................  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
Supply voltage ................................  
Access time  
80/100/120ns (Max)  
Power Dissipation  
Read  
RESET/  
.......................  
.......................  
.......................  
108 mW (Max.)  
144 mW (Max.)  
0.72 mW (Max.)  
3.3µW (typ.)  
POWER DOWN  
INPUT  
/RP  
1
2
44  
NC  
A18  
A17  
Program/Erase  
Standby  
WRITE ENABLE  
INPUT  
43  
/WE  
3
42  
41  
A8  
A9  
.......................  
Deep power down mode  
Auto program  
Program Time  
4
5
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
40  
39  
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
A15  
A16  
.......................  
.................................  
7.5ms (typ.)  
128word  
6
ADDRESS  
INPUTS  
Program Unit  
Auto Erase  
Erase time  
Erase Unit  
ADDRESS  
INPUTS  
7
8
9
38  
37  
.................................  
50 ms (typ.)  
36  
35  
34  
33  
.................................  
........................  
10  
11  
12  
Boot Block  
8Kword / 16Kbyte x 1  
4Kword / 8Kbyte x 2  
16Kword / 32Kbyte x 1  
32Kword / 64Kbyte x 15  
A0  
/CE  
Parameter Block  
CHIP ENABLE  
INPUT  
BYTE ENABLE  
INPUT  
.......................  
...........................  
.......................................  
/BYTE  
GND  
Main Block  
13  
14  
32  
31  
30  
29  
28  
GND  
/OE  
DQ0  
OUTPUT ENABLE  
INPUT  
Program/Erase cycles  
100Kcycles  
DQ15/A-1  
DQ7  
15  
16  
17  
Boot Block  
DQ8  
DQ1  
DQ9  
DQ2  
DQ10  
DQ3  
DQ11  
DQ14  
DQ6  
...........................  
...........................  
M5M29FB800  
M5M29FT800  
Other Functions  
Bottom Boot  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
Top Boot  
18  
19  
20  
27  
26  
25  
DQ13  
DQ5  
Software Command Control  
Selective Block Lock  
Erase Suspend/Resume  
Program Suspend/Resume  
Status Register Read  
Sleep  
DQ12  
DQ4  
21  
22  
24  
23  
VCC  
Outline 600mil 44-pin SOP  
(FP: 44P2A-A)  
Package  
48-Lead, 12mmx 20mm TSOP (type-I)  
44-Lead SOP  
APPLICATION  
Code Storage PC BIOS  
Digital Cellular Phone/Telecommunication  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
A16  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
A15  
A14  
A15  
/BYTE  
/BYTE  
A14  
A13  
3
3
GND  
GND  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A12  
A11  
A10  
A9  
4
4
DQ15/A-1 DQ15/A-1  
5
5
DQ7  
DQ7  
6
DQ14  
DQ14  
6
7
DQ6  
7
DQ6  
8
8
A8  
DQ13  
DQ13  
A8  
9
DQ5  
DQ5  
9
NC  
NC  
/WE  
/RP  
NC  
NC  
/WE  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
DQ12  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ4  
VCC  
/RP  
M5M29FB/T800VP  
M5M29FB/T800RV  
NC  
DQ11  
DQ3  
NC  
DQ11  
DQ3  
/WP  
/WP  
RY/BY  
A18  
RY/BY  
DQ10  
DQ10  
DQ2  
DQ2  
A18  
A17  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A17  
A7  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
/OE  
GND  
/CE  
A0  
DQ9  
DQ1  
A6  
DQ8  
A5  
DQ0  
/OE  
A4  
A3  
A2  
A1  
28  
27  
26  
25  
GND  
/CE  
23  
24  
A0  
Outline 48pin TSOP type-I (12 X 20mm)  
VP(Normal bend): 48P3R-B  
RV(Reverse bend): 48P3R-C  
NC : NO CONNECTION  
This product is compatible with HN29WB/T800 by Hitachi Ltd.  
1
1
May 1997 , Rev.6.1  
1234567...14

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与M5M29FT800VP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M29FT800VP-10 MITSUBISHI

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 		8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE
M5M29FT800VP-101 MITSUBISHI

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 		Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48
M5M29FT800VP-12 MITSUBISHI

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 		8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE
M5M29FT800VP-121 MITSUBISHI

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 		Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48
M5M29FT800VP-12I MITSUBISHI

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 		暂无描述
M5M29FT800VP-12V MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48
M5M29FT800VP-80 MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
M5M29FT800VP-801 MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48
M5M29FT800VP-80I MITSUBISHI

获取价格

 		Flash, 1MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
M5M29GB MITSUBISHI

获取价格

 		16,777,216-BIT (1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

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